Els nostres serveis

Caracterització física i elèctrica

Els laboratoris estan equipats amb tecnologies i configuracions de mesura i anàlisis útils per a la caracterització física i elèctrica de dispositius i sistemes. Podeu contractar els nostres serveis de caracterització i anàlisi com a part del seu desenvolupament tecnològic o comanda de producció, o de forma independent, per provar les seves pròpies mostres i verificar-ne la qualitat.

CONTACTEU-NOS PER CONTRACTAR UN SERVEI O RESERVAR UN INSTRUMENT I UN OPERADOR ESPECIALITZAT PER HORES.

+34 935947700 ext. 435527

CARACTERITZACIÓ ELÈCTRICA

Als laboratoris de l'IMB-CNM es troben disponibles nombrosos instruments per realitzar:

  • Proves paramètriques
  • Disseny i caracterització d'estructures de prova
  • Configuració de noves tècniques de mesura en obleas
  • Caracterització de dispositius electrònics
CARACTERITZACIÓ ELECTROTÈRMICA I ANÀLISI DE FALLES

S'han implementat mesuraments avançats basats en mètodes òptics (termografia infraroja i de termoreflectància, detecció làser infraroja interna) per a una caracterització electrotèrmica precisa a nivell de xip o sistema. El mètode de detecció síncrona aplicat a la termografia infraroja permet analitzar els límits de fiabilitat dels sistemes i dispositius de potència avançats (alta temperatura, banda prohibida ampla). Aplicacions: • Estudi de fonts de calor modulades per a l'avaluació no invasiva de defectes estructurals.

  • Extracció de figures de mèrit (FoM) en freqüència de nodes interns de circuits integrats/dispositius
  • Determinació no invasiva de punts calents per a la depuració de circuits integrats i dispositius de potència
  • Estudis sobre robustesa i anàlisi de fallades en dispositius de potència (Si, SiC)
CARACTERITZACIÓ NANOESCALA

La instrumentació a la sala neta i els laboratoris annexos permet:

  • Caracterització mitjançant AFM: topogràfica, elèctrica, magnètica…
  • Imatges SEM (resolució a escala nanomètrica) i caracterització de materials EDX
  • Seccionament transversal amb FIB, preparació de mostres per a TEM
  • Caracterització elèctrica in situ (3 nanoprobes i un connector de 50 pins a la càmera SEM) i imatges EBIC
ENGINYERIA INVERSA

Els nostres experts en enginyeria inversa tenen un profund coneixement de la tecnologia de semiconductors, els processos de fabricació i el disseny de circuits integrats, cosa que, combinada amb l'accés als equips de sala neta d'alta gamma de l'IMB-CNM, permet: Oferim una àmplia gamma de serveis relacionats amb l'anàlisi de xips, que inclouen:

  • Protecció de patents
  • Anàlisi de fallades
  • Auditories de seguretat
  • Tasques d'enginyeria inversa, que comprenen:
  • $
    Anàlisi tecnològica
  • $
    Extracció de circuits analògics
  • $
    Extracció de circuits digitals

NECESSITA MÉS INFORMACIÓ?

Visiteu la pàgina web del Laboratori d'Enginyeria Inversa i contacteu-nos.

D+T

Sobre nosaltres

Com podem ajudar

Treballa amb nosaltres

Bústia de queixes

Legal

Avís legal

Política de privadesa

Política de cookies

Inventari d'ens del sector públic

Portal de transparència

Informació Institucional, Organitzativa i de Planificació

Informació Econòmica, Pressupostària i Estadística

Contacte

Carrer dels Til·lers, UAB Campus, Cerdanyola del Vallès, 08193 Barcelona, Spain

+34 935947700 ext.435527

© Copyright 2026 D+T Microelectronica A.I.E. Tots els drets reservats